30.09.2022
Урок 15
Тема. Електронно-дірковий перехід: його властивості та застосування
Завдання:
- Опрацювати теоретиний матеріал, переглянувши відео, нище за посиланнями
- Записати конспект в зошит
https://www.youtube.com/watch?v=dACI6cPDHBQ
p-n перехі́д (електронно-дірковий перехід) — область контакту напівпровідників p- та n-типу всередині монокристала напівпровідника, в якій відбувається перехід від одного типу провідності до іншого. Ця область характеризується одностороннім пропусканням електричного струму. На властивостях p-n переходів ґрунтується робота напівпровідникових діодів, транзисторів та інших електронних елементів з нелінійною вольт-амперною характеристикою.
Відкриття p-n переходу зазвичай відносять американському фізику Расселу Олу з Bell Labs.[1] Проте патент Ола було отримано лише в 1946 році, а перші західні публікації, присвячені p-n переходу, з'явилися ще роком пізніше. Натомість уже в 1941 році український фізик Вадим Лашкарьов опублікував роботу в якій методом термозонду було досліджено перші p-n переходи [2]
Немає коментарів:
Дописати коментар