24.01.2023
Уроки 50, 51
Тема1. Напівпровідникова елементна база сучасної мікроелектроніки.
Тема 2. Електричний трум у розчинах і розплавах електролтів. Електроліз та його закони
Завдання:
- Опрацювати теоретичний матеріал, нище за посиланням
- Записати конспект в зошит
- Записати розв'язок задач в зошит
- Переглянути відео, нище за посиланням
https://www.youtube.com/watch?v=0KHC71P3Zhk - електр струм у розчинах
https://www.vascak.cz/data/android/physicsatschool/template.php?s=pol_polovodice&l=ua
НАПІВПРОВІДНИКОВА БАЗА СУЧАСНОЇ МІКРОЕЛЕКТРОНІКИ. Напівпровідникові прилади широко застосовуються в сучасній радіоелектроніці та мікропроцесорній техніці.
Створення сучасних комп'ютерів та різноманітних ґаджетів стало можливим завдяки винайденню напівпровідникового транзистора — напівпровідникового елемента з двома електронно-дірковими переходами та трьома електродами, один з яких використовується для управління струмом між двома іншими.
Виводи транзистора називаються емітером, базою і колектором. Дві крайні області мають електропровідність одного типу, середня — іншого. У кожної області свій контактний вивід. Якщо крайні області з дірковою електропровідністю, а середня з електронною (рис. 12.10, а), то такий прилад називають транзистором p-n-р-типу. В n-p-n-транзисторах, навпаки, крайні ділянки з електронною електропровідністю, а між ними — область з дірковою електропровідністю (рис. 12.10, б).
Рис. 12.10. Схема будови та умовні позначення транзисторів: а) p-n-p-типу; б) n-p-n-типу
Транзистор винайшли в 1947 р. Джон Бардін і Волтер Браттейн під керівництвом Шоклі з Bell Labs (Bell Labs — американська корпорація, великий дослідницький центр у галузі телекомунікацій, електронних та комп'ютерних систем, заснована в 1925 р.), за що отримали Нобелівську премію з фізики. Винахід транзистора став ключовим у розвитку обчислювальної техніки (зокрема комп'ютерів). Завдяки напівпровідниковим діодам та транзисторам вдалось досягти підвищення надійності в роботі обчислювальної техніки і — що найголовніше — зменшення габаритів і маси приладів.
Поява інтегральних схем, або кремнієвих чипів, у 70-ті роки ХХ ст. ознаменувала ще один великий етап у розвитку обчислювальної техніки, оскільки інтегральна схема здатна замінити тисячі транзисторів (рис. 12.11).
Рис. 12.11. Інтегральна мікросхема
Інтегральна мікросхема — мініатюрний мікроелектронний виріб, елементи якого нерозривно зв'язані конструктивно, технологічно та електрично.
Інтегральна мікросхема виконує певні функції перетворення і має високу щільність пакування електрично з'єднаних між собою елементів і компонентів, які є одним цілим з точки зору її використання як елемента мікроелектроніки.
Розрізняють напівпровідникові, плівкові, гібридні інтегральні схеми, які за видом оброблювальної інформації поділяються на цифрові та аналогові, а за складністю і якістю оцінки — на малі, середні, великі та надвеликі. Надвелика інтегральна схема (НВІС) — інтегральна мікросхема зі ступенем інтеграції понад 1000 елементів у кристалі. Одна така схема містить десятки тисяч транзисторів, які розміщуються на кристалі кремнію, меншому за людський ніготь.
Немає коментарів:
Дописати коментар